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[2010-7-20]
 
1.表面转移阻抗(Surface Transfer Impedance)

    按IEC61196-1测试同轴电缆的方法,测试带屏蔽的平衡电缆,短路8根芯线后用50Ω信号源激励。被测试线长1米,测试频率30MHz,频率越高,线长越短导体表面转移阻抗。主要用于评估连接硬件的屏蔽效率,其实测值不超过以下计算值。
    ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
    ZTcable:表面转移阻抗,单位mΩ/m
    f:信号频率,单位MHz

    2.转移阻抗(Transfer Impedance)
    转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关,其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗,计算得出。

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图一)

    
    Ri1=Ri2=50Ω——网络分析仪特性阻抗
    R1=50Ω——馈电电阻
    R2=50Ω——终端电阻
    U1=信号发射电压(V)
    U2=信号接收电压(V)
    Uc=被测设备两端电压
    Zcond=连接器特性阻抗(Ω)
    Zt=转移阻抗(Ω)
    Zt=1/l电缆长度?Ri1/Ri2?(R2+ Ri2)?U2/ U1=100/l电缆长度?U2/ U1
    由于屏蔽插入损耗(αs)为20?lg (U2/ U1)dB,转移阻抗(Zt)也可以表示为:
    Zt=100?10α/20(Ω)

  3.耦合衰减(Coupling Attenuation)
    耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt=Pr/Pi(Pr:线缆接收功率;Pi:在内导体上产生的噪声功率)
    将电缆近似看作电磁场中的全向天线,其接收到的电磁功率Pr=λ2/4π?PD(λ:信号波长,PD:电磁场功率密度)
    内部内部导体产生噪声功率Pi=内部导体产生噪声功率Vi2/Z(Vi:内导体上的噪声电压;Z内导体阻抗,50Ω)

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图二)


    
    4屏蔽系数(GB54419-1985)
    按下图装置,测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s=VC/VS(线芯上的感应电压mV;电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV)。
    
   

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图三)

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图四)


    
    5屏蔽耦合损耗(Coupling Loss)(GY/T186-2002)
    GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减(Coupling Attenuation)意义相同。

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图五)

    
    6屏蔽效能(Shielding Effectiveness)(GY/T186-2002)
    采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。
    
  

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图六)  3.耦合衰减(Coupling Attenuation)
    耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt=Pr/Pi(Pr:线缆接收功率;Pi:在内导体上产生的噪声功率)
    将电缆近似看作电磁场中的全向天线,其接收到的电磁功率Pr=λ2/4π?PD(λ:信号波长,PD:电磁场功率密度)
    内部内部导体产生噪声功率Pi=内部导体产生噪声功率Vi2/Z(Vi:内导体上的噪声电压;Z内导体阻抗,50Ω)

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图二)


    
    4屏蔽系数(GB54419-1985)
    按下图装置,测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s=VC/VS(线芯上的感应电压mV;电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV)。
    
   

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图三)

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图四)


    
    5屏蔽耦合损耗(Coupling Loss)(GY/T186-2002)
    GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减(Coupling Attenuation)意义相同。

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图五)

    
    6屏蔽效能(Shielding Effectiveness)(GY/T186-2002)
    采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。
    
  

布线技巧:屏蔽性能指标的含义(图六)


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